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DRAM进入涨价周期 第一季产值衰退4.6%

2020-05-15
来源:集邦咨询
关键词: DRAM 内存

  根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,第一季DRAM供应商库存去化得宜,季末的库存水位与年初相比已经显著下降,因此降价求售压力不再,整体DRAM(内存)均价相较前一季上涨约0-5%。然而,因应新冠肺炎疫情,各国祭出封城锁国政策,导致物流受阻,DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨,但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%,达148亿美元。

  集邦咨询指出,第一季受阻的出货将递延至第二季,因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下,集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成,原厂的营收与获利能力将持续成长。

  DRAM均价小涨带动原厂第一季获利能力提升

  第一季因疫情导致出货受阻,「价涨量缩」的情况下,三大DRAM原厂第一季营收均呈现小跌,三星跌幅约3%、SK海力士约4%,美光则约11%(本次财报季区间为2019年12月至2020年2月)。市占方面,三星约44。1%、SK海力士为29。3%,美光则为20。8%。展望第二季,由于产能规划大致相同,因此集邦咨询预期市占比例不会有太大变化。

  三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增,垫高基期,所以虽然第一季营业利益率下滑至32%,但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%,与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂,加上当前因开发1Z制程导致成本增加,使得营业利益率小幅下滑,但预计下次财报区间(3月至5月)会有明显改善。

  三大原厂产能规划保守,资本支出续降

  观察各厂产能与技术能力,三星持续将部份产能(Line13)由DRAM转向图像传感器(CMOS image sensor),不过平泽二厂预计下半年投入DRAM生产,弥补Line13的投片下滑,同时提高1Z制程的比重。整体而言,考量疫情对需求面的冲击,三星审慎规划产出,2020年产能增加幅度不高;SK海力士持续将M10厂的DRAM投片转向图像传感器,并增加M14的产出,另将于下半年小幅提高无锡厂的产能。但全年的整体产能增加幅度不高,主要由1Y纳米制程比重提升贡献;美光的投片与产能与去年相较没有太大改变,今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升,目前正值OEM积极验证阶段,很快就能导入实际量产。

  整体而言,三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延,但大致顺利,没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长,资本支出也持续下降,供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进,并非实质投片增加。

  台厂重心皆为先进制程的研发与转换

  南亚科第一季出货量双位数成长,带动营收较前一季增加近10%,加上研发费用的控制,营业利益率由上一季的11%升至12。7%。展望第二季,在均价上扬的挹注下,获利能力将持续进步;华邦第一季量价大致持平,因此DRAM营收变化幅度不大,成长力道以NAND Flash(闪存)较为明显;力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲,排挤DRAM产能,因此营收小幅下滑3%(营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品,不包含DRAM代工业务)。

  尽管营收表现分歧,但台厂今年重心都在下一代制程的研发,如南亚科宣布不使用美光授权后专注于1A/1B纳米,华邦持续提升25纳米新制程的良率和产品多样性,力晶则专攻25纳米DDR4产品的稳定度与兼容性。

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