《电子技术应用》
您所在的位置:快乐赛车 > 模拟设计 > 业界动态 > EUV光刻机全球出货量达57台

EUV光刻机全球出货量达57台

2020-07-31
来源:半导体行业观察
关键词: IMEC 光刻 芯片

  IMEC是推动半导体技术前进的主要组织之一,日前,他们举办了一场线上论坛,谈及了对芯片现状和未来的看法。在演讲中,ASML总裁则对光刻的发展进行了演讲。从他的PPT中可以看到,浸入式光刻在过去九年中增长了两倍。

微信图片_20200731152631.png

  而ASML计划提高所有曝光工具每小时的晶圆数量。

2.png

  与此同时, 他指出,EUV继续为ASML的客户提高产量,迄今为止,他们的客户已经使用EUV光刻机曝光了超过1100万个EUV晶圆,并交付了57个3400x EUV系统(3400平台是EUV生产平台)。

3.png

  ASML计划继续提高EUV吞吐量,同时减少每个晶圆的总能量。尤其是2倍的能源节省,这吸引了大家的高度关注。他们还期望通过NXE3800系统达到每小时30mj / cm2的剂量通量,已达到最高每小时225个晶圆的生产能力!

4.png

  在演讲中,IMEC高管也分享了他们对行业的看法。

  据IMEC公司CEO Luc Van Den Hove表示,过去几年来,即使尺寸缩放速度变慢,但Design Technology Co Optimization(DTCO)也可以实现连续缩放。借助DTCO,工艺优化已实现了标准逻辑单元轨道高度的减小。标准单元的高度是M2P( metal 2 pitch)乘以轨道(track)数,而6 track cell 的高度代表了当前的最新技术水平。

  在他的演讲中,Luc概述了一个路线图,其中包括6条轨道的FinFET,让路给具有埋入式电源轨(buried power rails)的5轨道纳米片,然后增加了用于实现4.5条轨道纳米片的叉板(forksheets ),4条轨道CFET以及最终具有2D通道的CFET。

  他还强调了对功率,性能,面积和成本(PPAC)的需求。多年来,基于功率,性能和面积(PPA)来表征前沿逻辑过程。例如,在最近的电话会议上,台积电(TSMC)讨论了他们的3nm工艺,即在相同功率下提供大约70%的逻辑密度,在相同性能下提高10-15%的速度,在相同性能下降低25-30%的功率。人们越来越认识到,成本是新流程定义的必要要素。

  Imec CMOS技术高级副总裁Sri Samavedan介绍了Imec先进的半导体技术发展的最新情况。他表示,随着逻辑缩放继续达到3纳米及以下,EUV将不得不过渡到多图案化,直到可获得高NA EUV。

5.jpg

  他还提出了与Luc Van Den Hove的演讲中类似的逻辑缩放路线图,但有更多细节,例如,要进入5轨道单元,需要将电源导轨作为埋藏式电源导轨(BPR)移入基板。

6.jpg

  在3D NAND中,关键挑战之一是如何继续有效地添加更多层。随着堆栈变得越来越高,图案化变得越来越难。Imec一直在寻找钌(Ru)替代水平字线板的钨(W)。Imec相信,Ru可以帮助将线材的厚度从目前的大约30nm减小到大约15nm。就个人而言,我认为Ru太昂贵了,无法在3D NAND中实现,但是替代材料的概念很重要。

78.jpg

  他还谈到了逻辑的2D材料,并提供了有关MoS2的一些数据,这些数据可以实现更细的通道和更短的通道长度。

9.jpg

  最后,我发现用于DRAM的低温沉积铟镓锌氧化物(IGZO)的选择很有趣。在逻辑,NAND和DRAM这三个主要的半导体产品领域中,DRAM面临着最未知/最困难的扩展挑战。低温沉积的低漏电晶体管可以使访问晶体管和电容器堆叠在外围逻辑上,从而增加DRAM密度。

10.jpg

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@jganggini.com。
秒速时时彩 三分快3 幸运飞艇官网 幸运赛车 幸运飞艇官网 北京快3 快3娱乐平台 极速快乐8 三分PK拾平台 乐盈彩票APP